產品分類
氧化/擴散/退火爐
所屬分類：
臥式爐管設備
半導體芯片設備
氧化/擴散/退火爐
概要：
適用領域：集成電路、先進封裝、化合物半導體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors 適用材料: ?Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) 晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch 適用工藝：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、擴散(Diffusion) Applicable Processes: High-Temperature Annealing
關鍵詞：
LPCVD立式爐管設備
氧化/擴散/退火爐
產品應用Product Applications：
♦ 適用領域：集成電路、先進封裝、化合物半導體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors
♦ 適用材料: Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN)
♦ 晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch
♦ 適用工藝：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、擴散(Diffusion) Applicable Processes: High-Temperature Annealing
技術指標 Technical Parameters：
♦ 制程溫度范圍：300°C-1250°C Process Temperature Range: 300°C-1250°C
♦批次片數: 100-250片 Batch Capacity: 100-250 pcs
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